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High NA EUV露光を量産品の選択層に適用、累計処理は100万枚超

この記事のポイント

  1. 実現したこと

    High NA EUV露光が、Intel 18Aを使う一部プロセッサーの選択層で量産に使われている。

  2. 実現の仕組み

    現行の6インチマスク内に配置を収めるか、stitchingとプロセス設計キットを組み合わせて露光領域を構成する。

  3. 得られた結果

    装置認証、研究開発、量産を合わせた処理枚数が100万枚を超え、重ね合わせ精度、処理能力、稼働率はIntel Foundryの期待値を満たした。

  4. 従来との違い

    Intel 18Aの一部層に、NA 0.33のNXE platformとは異なるHigh NAのパターニングが組み込まれた。

High NA EUV露光でマスクを継ぎ合わせ、ウエハーに微細な半導体パターンを転写する様子
AI生成画像

High NA EUV露光がIntel 18A量産品の選択層へ入り、装置認証、研究開発、量産を通じた累計処理枚数は100万枚を超えた。現行の6インチマスクを使う工程も用意されている。

High NA EUVがIntel 18Aの量産層へ入る

Intel Foundryは、High NA EUVをIntel® Core™ Ultra Series 3(開発コード名Panther Lake)の一部製品へ適用している。対象はIntel 18Aで形成する選択層で、High NAは研究開発用の露光だけでなく量産工程にも使われている。

High NA装置が処理したウエハーは100万枚を超えた。この数字には初期の装置認証と試験、研究開発、量産が含まれるため、すべてが出荷製品向けの処理枚数を示すわけではない。

工程指標と比較層の性能が量産条件を支える

量産工程では、前後の工程で形成したパターンを合わせる重ね合わせ精度に加え、単位時間当たりの処理能力と装置の稼働率が運用条件になる。Intel Foundryによると、High NA工程では、この3つの指標が期待値を満たしている。

High NAでパターニングしたIntel 18Aの選択層は、NA 0.33のEUV露光機群であるNXE platformを使った比較対象層と評価された。Intel Foundryは、High NAを使う製品の性能が、その比較対象と同等以上になっているとしている。

6インチマスクをstitchingでHigh NAへつなぐ

High NAの利用は、大判マスクへの移行を待つ構成だけに限られない。顧客は、設計を現行の6インチマスク内へ収めるか、Intel Foundryのstitching機能とプロセス設計キット(PDK)を組み合わせることで、現在のマスク形式を利用できる。

reticle stitchingは、標準6インチマスクで作る露光領域をつなぎ、High NA EUVで設計を扱えるようにする技術である。この方法により、マスク形式を直ちに変更せずにHigh NA工程へ設計を渡す経路が成立する。

現行工程を保ちながら6×12インチマスクへ移行

Intel Foundryは、将来のHigh NA拡張に向け、6×12インチの大判マスクを支える業界連携を3年以上進めている。連携先にはASMLのほか、マスクメーカー、自動化装置企業、EDA企業、材料企業、半導体メーカーが含まれ、標準、インフラ、関連技術の整備を対象としている。

移行方針は、現行形式と大判形式を段階的につなぐ。Intel Foundryは当面、6インチマスクをstitchingの有無にかかわらず利用可能にし、その工程を維持しながら6×12インチマスクへの移行を進めるとしている。